AUIRFSL8409 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

AUIRFSL8409 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: AUIRFSL8409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 300 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AUIRFSL8409

AUIRFSL8409 Datasheet (PDF)

..1. Size:398K international rectifier
auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf

AUIRFB8409AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409AUIRFSL8409FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl New Ultra Low On-Resistance VDSS 40Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) (SMD) typ. 0.97ml Fast Switching max. 1.2ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGl Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409Al Automotive Qualified *ID (Package Li

..2. Size:398K infineon
auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf

4.1. Size:277K international rectifier
auirfs8403 auirfsl8403.pdf

AUIRFS8403AUTOMOTIVE GRADEAUIRFSL8403HEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDVDSS 40Vl New Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 2.6ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG max. 3.3ml Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *SID (Silicon Limited) 123ADescriptionSpecifically desi

4.2. Size:351K international rectifier
auirfs8405 auirfsl8405.pdf

AUIRFS8405AUTOMOTIVE GRADEAUIRFSL8405FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl New Ultra Low On-Resistance VDSS 40Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.1.9ml Fast Switching max. 2.3ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliant GID (Silicon Limited) 193Al Automotive Qualified *ID (Package Limited) 120A SDe

4.3. Size:340K international rectifier
auirfb8407 auirfs8407 auirfsl8407.pdf

AUIRFB8407AUTOMOTIVE GRADEAUIRFS8407AUIRFSL8407FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl New Ultra Low On-ResistanceVDSS 40VDl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 1.4ml Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax(SMD version) max. 1.8m l Lead-Free, RoHS CompliantG250AID (Silicon Limited) Automotive Qualified *S

4.4. Size:291K international rectifier
auirfs8408 auirfsl8408.pdf

AUIRFS8408AUTOMOTIVE GRADEAUIRFSL8408FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyVDSS 40Vl New Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 1.3ml Fast Switching max. 1.6ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited) 317Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *ID (Package Limited) 195A Descri

4.5. Size:277K infineon
auirfs8403 auirfsl8403.pdf