SDF85NA50HI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF85NA50HI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 850 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 120(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: NA

Другие MOSFET... SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , SDF5N100JAB , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , IRFP460 , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , SDF9230JAB , SDF9240 , SDF9N100GAF-D .