Справочник MOSFET. IPF075N03L

 

IPF075N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPF075N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPF075N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPF075N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  infineon
 ipd075n03l ipf075n03l ips075n03l ipu075n03l.pdf pdf_icon

IPF075N03L

Type IPD075N03L G IPF075N03L GIPS075N03L G IPU075N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

 0.1. Size:1189K  infineon
 ipd075n03lg ipd075n03lg ipf075n03lg ips075n03lg ipu075n03lg.pdf pdf_icon

IPF075N03L

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

Другие MOSFET... FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , NCEP15T14 , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , IPB027N10N3 , IPB029N06N3 .

History: C2T206

 

 
Back to Top

 


 
.