IPB039N04L - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IPB039N04L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IPB039N04L
   Маркировка: 039N04L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
   Время нарастания (tr): 5.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 820 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IPB039N04L

IPB039N04L Datasheet (PDF)

..1. Size:615K infineon
ipb039n04l .pdf

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeatures 4 D S 4EF EI

..2. Size:686K infineon
ipb039n04l.pdf

Type IPP039N04L GIPB039N04L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

..3. Size:219K inchange semiconductor
ipb039n04l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB039N04LFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

0.1. Size:264K infineon
ipp039n04lg ipb039n04lg.pdf

Type IPP039N04L GIPB039N04L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 3.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 80 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

0.2. Size:344K infineon
ipb039n04l-g ipp039n04l-g.pdf