IPB039N04L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPB039N04L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IPB039N04L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB039N04L даташит

 ..1. Size:615K  infineon
 ipb039n04l .pdf pdf_icon

IPB039N04L

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@ %>E Features 4 D S 4EF EI

 ..2. Size:686K  infineon
 ipb039n04l.pdf pdf_icon

IPB039N04L

Type IPP039N04L G IPB039N04L G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 40 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 mW DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 ..3. Size:219K  inchange semiconductor
 ipb039n04l.pdf pdf_icon

IPB039N04L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB039N04L FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 0.1. Size:264K  infineon
 ipp039n04lg ipb039n04lg.pdf pdf_icon

IPB039N04L

Type IPP039N04L G IPB039N04L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 40 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB019N06L3, IPB020N10N5LF, IPB023N04N, IPB027N10N3, IPB029N06N3, IPB031NE7N3, IPB033N10N5LF, IPB037N06N3, MMIS60R580P, IPB041N04N, IPB049N06L3, IPB049NE7N3, IPB054N06N3, IPB05CN10N, IPB065N10N3, IPB067N08N3, IPB081N06L3