SDF9130JAB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SDF9130JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF9130JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9130JAB даташит

 7.1. Size:68K  solitron
 sdf9130.pdf pdf_icon

SDF9130JAB

 9.1. Size:169K  solitron
 sdf9140.pdf pdf_icon

SDF9130JAB

Другие IGBT... SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, SDF6NA100SXH, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI, SDF85NA50JD, SDF9130JAA, IRF1404, SDF9140, SDF9230JAA, SDF9230JAB, SDF9240, SDF9N100GAF-D, SDF9N100GAF-S, SDF9N100GAF-U, SDF9N100JEA-D