IPB60R160P6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB60R160P6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для IPB60R160P6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB60R160P6 даташит

 ..1. Size:2645K  infineon
 ipw60r160p6 ipb60r160p6 ipp60r160p6 ipa60r160p6.pdf pdf_icon

IPB60R160P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPx60R160P6 Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPW60R160P6, IPB60R160P6, IPP60R160P6, IPA60R160P6 TO-247 D PAK TO-220 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb60r160p6.pdf pdf_icon

IPB60R160P6

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R160P6 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 5.1. Size:1019K  infineon
 ipa60r160c6 ipb60r160c6 ipp60r160c6 ipw60r160c6.pdf pdf_icon

IPB60R160P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R160C6 Data Sheet Rev. 2.3 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6 IPP60R160C6 IPW60R160C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunct

 5.2. Size:1723K  infineon
 ipb60r160c6.pdf pdf_icon

IPB60R160P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R160C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2010-02-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6 IPP60R160C6 IPW60R160C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superj

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB530N15N3, IPB60R040C7, IPB60R060C7, IPB60R060P7, IPB60R080P7, IPB60R099C7, IPB60R099P7, IPB60R120P7, IRFB4227, IPB60R180C7, IPB60R180P7, IPB60R190P6, IPB60R230P6, IPB60R280P7, IPB60R330P6, IPB60R360P7, IPB60R380P6