IPB60R190P6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB60R190P6
Маркировка: 6R190P6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 76 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: D2PAK TO-263
Аналог (замена) для IPB60R190P6
IPB60R190P6 Datasheet (PDF)
ipw60r190p6 ipb60r190p6 ipp60r190p6 ipa60r190p6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPx60R190P6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R190P6, IPB60R190P6, IPP60R190P6,IPA60R190P6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs,
ipb60r190p6.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R190P6FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
ipa60r190c6 ipb60r190c6 ipi60r190c6 ipp60r190c6 ipw60r190c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R190C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6IPI60R190C6, IPP60R190C6IPW60R190C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to
ipb60r190c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R190C6Data SheetRev. 2.1, 2010-02-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6IPI60R190C6, IPP60R190C6IPW60R190C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according
ipb60r190c6.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB60R190C6FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stages, hard switching PWM stages and resonant sw
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
