Справочник MOSFET. IPU135N03L

 

IPU135N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPU135N03L
   Маркировка: 135N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: IPAK TO-251

 Аналог (замена) для IPU135N03L

 

 

IPU135N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  infineon
ipd135n03l ipf135n03l ips135n03l ipu135n03l.pdf

IPU135N03L
IPU135N03L

Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
ipu135n03l.pdf

IPU135N03L
IPU135N03L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU135N03LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:1397K  infineon
ipd135n03lg ipf135n03lg ips135n03lg ipu135n03lg.pdf

IPU135N03L
IPU135N03L

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 6.1. Size:597K  infineon
ipu135n08n31.pdf

IPU135N03L
IPU135N03L

$( " " (TM) $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ( AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ( & D n)R ' 492??6= ?@C>2= =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R )3 7C66 A=2E:?8 + @", 4@>A=:2?E1)R * F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DType #). ' ' !Package G O 1

 9.1. Size:545K  infineon
ipd13n03lag ipf13n03lag ipu13n03lag.pdf

IPU135N03L
IPU135N03L

IPD13N03LA G IPF13N03LA GIPS13N03LA G IPU13N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR 12.8mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationsI 30 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C opera

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top