Справочник MOSFET. IRFS7730

 

IRFS7730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS7730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS7730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  international rectifier
irfb7730 irfs7730pbf irfsl7730pbf.pdfpdf_icon

IRFS7730

StrongIRFET IRFB7730PbF IRFS7730PbF IRFSL7730PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 75V D BLDC motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.2m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.6mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 246A

 ..2. Size:657K  international rectifier
irfb7730pbf irfs7730pbf irfsl7730pbf.pdfpdf_icon

IRFS7730

StrongIRFET IRFB7730PbF IRFS7730PbF IRFSL7730PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 75V D BLDC motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.2m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.6mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 246A

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irfs7730.pdfpdf_icon

IRFS7730

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS7730FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

 0.1. Size:518K  international rectifier
irfs7730-7ppbf.pdfpdf_icon

IRFS7730

StrongIRFET IRFS7730-7PPbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 75V BLDC motor drive applications DRDS(on) typ. Battery powered circuits 1.70m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 269A S Resonant mode

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.