Справочник MOSFET. IXFQ8N85X

 

IXFQ8N85X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ8N85X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 714 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ8N85X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ8N85X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ixys
 ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf pdf_icon

IXFQ8N85X

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
 ixfq8n85x.pdf pdf_icon

IXFQ8N85X

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFQ8N85XFEATURESWith TO-3P packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So

 9.1. Size:245K  ixys
 ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf pdf_icon

IXFQ8N85X

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR

Другие MOSFET... IRL40S212 , IRL60S216 , IRLS3813 , IXFH56N30X3 , IXFP12N65X2 , IXFP20N85X , IXFP36N20X3M , IXFP72N20X3M , 13N50 , IXFY36N20X3 , IXTA12N70X2 , IXTP230N04T4M , MFT60N12T22FS , MMD60R580QRH , MTD300N20J3 , NTHL040N65S3F , NVD4C05NT4G .

 

 
Back to Top

 


 
.