NTHL040N65S3F - описание и поиск аналогов

 

NTHL040N65S3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTHL040N65S3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для NTHL040N65S3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHL040N65S3F даташит

 ..1. Size:510K  onsemi
nthl040n65s3f.pdfpdf_icon

NTHL040N65S3F

NTHL040N65S3F MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 65 A, 40 mW www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high VDSS RDS(ON) MAX ID MAX voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 40 mW @ 10 V 65 A charge performance. This advanced

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
nthl040n65s3f.pdfpdf_icon

NTHL040N65S3F

isc N-Channel MOSFET Transistor NTHL040N65S3F FEATURES With TO-247 packaging Low R

 2.1. Size:399K  onsemi
nthl040n65s3hf.pdfpdf_icon

NTHL040N65S3F

NTHL040N65S3HF Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, FRFET), 650 V, 65 A, 40 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to

 6.1. Size:312K  onsemi
nthl040n120sc1.pdfpdf_icon

NTHL040N65S3F

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 40 mW, 60 A NTHL040N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 140 pF) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested These Devices are RoHS Compliant 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A Typical Applications UPS N-CHANNEL MOSFE

Другие MOSFET... IXFP72N20X3M , IXFQ8N85X , IXFY36N20X3 , IXTA12N70X2 , IXTP230N04T4M , MFT60N12T22FS , MMD60R580QRH , MTD300N20J3 , IRF2807 , NVD4C05NT4G , IXTH12N70X2 , PSMN3R7-100BSE , R6018JNX , SIHG47N60AEF , STD140N6F7 , STH140N6F7 , STP140N6F7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.