CJ3139KW - аналоги и даташиты транзистора

 

CJ3139KW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJ3139KW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для CJ3139KW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3139KW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2431K  jiangsu
 cj3139kw.pdf pdf_icon

CJ3139KW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ3139KW P-Channel Power MOSFETSOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti

 7.1. Size:436K  jiangsu
 cj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139KW

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

 7.2. Size:2229K  jiangsu
 cj3139kdw.pdf pdf_icon

CJ3139KW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi

 7.3. Size:1850K  cn tech public
 pcj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139KW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CJ2307 , CJ2310 , CJ2312 , CJ2321 , CJ2333 , CJ3134K , CJ3134KW , CJ3139K , IRF540 , CJ3400 , CJ3400A , CJ3400-HF , CJ3401 , CJ3401A , CJ3401-HF , CJ3402 , CJ3404 .

 

 
Back to Top

 


 
.