Справочник MOSFET. CJ3400-HF

 

CJ3400-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJ3400-HF
   Маркировка: R0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для CJ3400-HF

 

 

CJ3400-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  jiangsu
 cj3400-hf.pdf

CJ3400-HF CJ3400-HF

MOSFETComchipS M D D i o d e S p e c i a l i s tCJ3400-HF (N-Channel )Reverse Voltage: 30 VoltsForward Current: 5.8 ARoHS DeviceHalogen Free SOT-23Features0.118(3.00)0.110(2.80) - N-Channel Enhancement mode field effect transistor. 3 - High dense cell design for extermely low RDS(ON)0.055(1.40)0.047(1.20) - Exceptional on-resistance and maximum DC current capab

 8.1. Size:1012K  jiangsu
 cj3400a.pdf

CJ3400-HF CJ3400-HF

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A1. GATE 45m@2.5V2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resistanc

 8.2. Size:169K  jiangsu
 cj3400.pdf

CJ3400-HF CJ3400-HF

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE 1. GATE High dense cell design for extremely low RDS(ON) 2. SOURCE Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 3. DRAIN MARKING: R0 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter

 8.3. Size:1722K  cn vbsemi
 cj3400.pdf

CJ3400-HF CJ3400-HF

CJ3400www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top