CJ3400-HF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJ3400-HF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJ3400-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJ3400-HF даташит
cj3400-hf.pdf
MOSFET Comchip S M D D i o d e S p e c i a l i s t CJ3400-HF (N-Channel ) Reverse Voltage 30 Volts Forward Current 5.8 A RoHS Device Halogen Free SOT-23 Features 0.118(3.00) 0.110(2.80) - N-Channel Enhancement mode field effect transistor. 3 - High dense cell design for extermely low RDS(ON) 0.055(1.40) 0.047(1.20) - Exceptional on-resistance and maximum DC current capab
cj3400a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 32m @10V 30V 38m @4.5V 5.8A 1. GATE 45m @2.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resistanc
cj3400.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE 1. GATE High dense cell design for extremely low RDS(ON) 2. SOURCE Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 3. DRAIN MARKING R0 Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter
cj3400.pdf
CJ3400 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1
Другие IGBT... CJ2321, CJ2333, CJ3134K, CJ3134KW, CJ3139K, CJ3139KW, CJ3400, CJ3400A, IRFZ44, CJ3401, CJ3401A, CJ3401-HF, CJ3402, CJ3404, CJ3404-HF, CJ3406, CJ3407
History: CJ3404-HF | IXFN44N100P | JFAM25N50E | SLP5N60C | SLF18N50C | CJ3402
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet




