Справочник MOSFET. CJ3407

 

CJ3407 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJ3407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CJ3407

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  jiangsu
cj3407.pdfpdf_icon

CJ3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 General Description The CJ3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load 1. GATE switch or in PWM applications. 2. SOURCE 3. DRAIN MARKING: 3

 9.1. Size:1012K  jiangsu
cj3400a.pdfpdf_icon

CJ3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 32m@10V30V 38m@4.5V5.8A1. GATE 45m@2.5V2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resistanc

 9.2. Size:377K  jiangsu
cj3401.pdfpdf_icon

CJ3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 FEATURE 1. GATE High dense cell design for extremely low RDS(ON). 2. SOURCE Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 3. DRAIN D MARKING: R1 G S Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted

 9.3. Size:744K  jiangsu
cj3402.pdfpdf_icon

CJ3407

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3402 N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 55 m@10V30V 4Am70 @4.5V110m@2.5VDESCRIPTION 1. GATE The CJ3402 uses advanced trench technology to provide excellent 2. SOURCE 3. DRAIN RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltage as low as 2.5V.

Другие MOSFET... CJ3400-HF , CJ3401 , CJ3401A , CJ3401-HF , CJ3402 , CJ3404 , CJ3404-HF , CJ3406 , AON6414A , CJ3415 , CJ3420 , CJ4153 , CJ502K , CJ8810 , CJ8820 , CJA03N10 , CJA03N10-HF .

History: NCE65T540D | SL5N100K | FHD100N03B | HSBA3048 | SQJ200EP | SSF13N50F | STB55NF03L-1

 

 
Back to Top

 


 
.