SDF9N100JEB-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF9N100JEB-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 145 nC
   Время нарастания (tr): 110(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF9230JAB , SDF9240 , SDF9N100GAF-D , SDF9N100GAF-S , SDF9N100GAF-U , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U , IRLB4132 , SDF9N100JEB-S , SDF9N100JEB-U , SDF9N100JEC-D , SDF9N100JEC-S , SDF9N100JEC-U , SDF9N100JED-D , SDF9N100JED-S , SDF9N100JED-U .