Справочник MOSFET. CJB08N65

 

CJB08N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJB08N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CJB08N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB08N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  jiangsu
 cjb08n65.pdf pdf_icon

CJB08N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB08N65 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

Другие MOSFET... CJA03N10-HF , CJA9451 , CJA9452 , CJB01N65B , CJB02N65 , CJB04N60A , CJB04N65 , CJB04N65A , IRF1010E , CJB10N60 , CJB71N90 , CJD01N60 , CJD01N65B , CJD01N80 , CJD02N60 , CJD02N65 , CJD04N60 .

History: BUZ77A | HX4N60 | OSG70R360DSF | TDM3420 | SPB07N60C2 | PTP11N45 | FDP5645

 

 
Back to Top

 


 
.