CJB08N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJB08N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJB08N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJB08N65 даташит

 ..1. Size:301K  jiangsu
 cjb08n65.pdf pdf_icon

CJB08N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB08N65 N-Channel Power MOSFET TO-263-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

Другие IGBT... CJA03N10-HF, CJA9451, CJA9452, CJB01N65B, CJB02N65, CJB04N60A, CJB04N65, CJB04N65A, IRF9540N, CJB10N60, CJB71N90, CJD01N60, CJD01N65B, CJD01N80, CJD02N60, CJD02N65, CJD04N60