SDF9N100JEC-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF9N100JEC-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF9N100GAF-S , SDF9N100GAF-U , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U , SDF9N100JEB-D , SDF9N100JEB-S , SDF9N100JEB-U , K4145 , SDF9N100JEC-S , SDF9N100JEC-U , SDF9N100JED-D , SDF9N100JED-S , SDF9N100JED-U , SDF9N100SXH , SDF9NA80 , SDFC30JAA .