CJP08N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP08N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP08N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP08N65 даташит

 ..1. Size:474K  jiangsu
 cjp08n65.pdf pdf_icon

CJP08N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP08N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

 7.1. Size:307K  jiangsu
 cjp08n60.pdf pdf_icon

CJP08N65

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP08N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

Другие IGBT... CJP04N60A, CJP04N65, CJP04N65A, CJP05N60, CJP05N60B, CJP07N60, CJP07N65, CJP08N60, IRF520, CJP10N60, CJP10N65, CJP12N60, CJP12N65, CJP71N90, CJP75N75, CJP75N80, CJP85N80