CJU04N65A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJU04N65A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJU04N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU04N65A даташит

 ..1. Size:299K  jiangsu
 cju04n65a.pdf pdf_icon

CJU04N65A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU04N65A N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 6.1. Size:378K  jiangsu
 cju04n65.pdf pdf_icon

CJU04N65A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU04N65 N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hig

 7.1. Size:307K  jiangsu
 cju04n60a.pdf pdf_icon

CJU04N65A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU04N60A N-Channel Power MOSFET TO-252-2L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, hi

 7.2. Size:411K  jiangsu
 cju04n60.pdf pdf_icon

CJU04N65A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU04N60 600V N-Channel Power MOSFET TO-252-2L General Description This advanced high voltage MOSFET is designed to wighstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode wigh fast recovery time. Desighed for high

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJU01N80, CJU02N60, CJU02N65, CJU02N80, CJU03N80, CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, IRF640N, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, CJW1012, CTLDM303N-M832DS