CTLDM303N-M832DS - аналоги и даташиты транзистора

 

CTLDM303N-M832DS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CTLDM303N-M832DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TLM832DS

 Аналог (замена) для CTLDM303N-M832DS

 

CTLDM303N-M832DS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:678K  central
ctldm303n-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. MA

 7.1. Size:678K  central
ctldm304p-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM304P-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 8.1. Size:1156K  central
ctldm3590.pdfpdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM3590 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 is SILICON MOSFET an enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics. MARKING CODE 1 FEA

Другие MOSFET... CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , 2N7000 , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H .

History: DE275X2-102N06A | CJV01N65B

 

 
Back to Top

 


 
.