CTLDM303N-M832DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTLDM303N-M832DS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TLM832DS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTLDM303N-M832DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM303N-M832DS даташит

 0.1. Size:678K  central
 ctldm303n-m832ds.pdf pdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. MA

 7.1. Size:678K  central
 ctldm304p-m832ds.pdf pdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM304P-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 8.1. Size:1156K  central
 ctldm3590.pdf pdf_icon

CTLDM303N-M832DS

CTLDM3590 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 is SILICON MOSFET an enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics. MARKING CODE 1 FEA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, CJU4828, CJV01N60, CJV01N65B, CJW1012, 2N7000, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H, CTLDM7003-M621, CTLDM7120-M563, CTLDM7120-M621, CTLDM7120-M621H