CTLDM303N-M832DS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CTLDM303N-M832DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TLM832DS
Аналог (замена) для CTLDM303N-M832DS
CTLDM303N-M832DS Datasheet (PDF)
ctldm303n-m832ds.pdf
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. MA
ctldm304p-m832ds.pdf
CTLDM304P-M832DS SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DS SILICON MOSFET is a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M
ctldm3590.pdf
CTLDM3590 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 is SILICON MOSFET an enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics. MARKING CODE 1 FEA
Другие MOSFET... CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , 2N7000 , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H .
History: DE275X2-102N06A | CJV01N65B
History: DE275X2-102N06A | CJV01N65B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554




