CWDM305N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CWDM305N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CWDM305N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CWDM305N даташит

 ..1. Size:1136K  central
 cwdm305n.pdf pdf_icon

CWDM305N

CWDM305N SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305N is SILICON MOSFET a high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. MARKING CODE

 0.1. Size:1143K  central
 cwdm305nd.pdf pdf_icon

CWDM305N

CWDM305ND SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305ND is SILICON MOSFET a dual, high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 7.1. Size:654K  central
 cwdm305pd.pdf pdf_icon

CWDM305N

CWDM305PD SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305PD SILICON MOSFET is a dual high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshol

 7.2. Size:647K  central
 cwdm305p.pdf pdf_icon

CWDM305N

CWDM305P SURFACE MOUNT www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305P is SILICON MOSFET a high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET, manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, TK10A60D, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N