CWDM305N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CWDM305N
Маркировка: C305N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.2 nC
Выходная емкость (Cd): 52 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
CWDM305N Datasheet (PDF)
cwdm305n.pdf
CWDM305NSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305N is SILICON MOSFETa high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.MARKING CODE:
cwdm305nd.pdf
CWDM305NDSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305ND is SILICON MOSFETa dual, high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.M
cwdm305pd.pdf
CWDM305PDSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305PD SILICON MOSFETis a dual high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshol
cwdm305p.pdf
CWDM305PSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CWDM305P is SILICON MOSFETa high current P-channel enhancement-mode silicon MOSFET, manufactured by the P-channel DMOS process, and is designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage,
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
