D84DN2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D84DN2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для D84DN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D84DN2 даташит

 ..1. Size:849K  njs
 d84dm2 d84dn2.pdf pdf_icon

D84DN2

Другие IGBT... CXDM1002N, CXDM3069N, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, D55NF06, D84DM2, 18N50, DE150-101N09A, DE150-102N02A, DE150-201N09A, DE150-501N04A, DE275-101N30A, DE275-102N06A, DE275-201N25A, DE275-501N16A