DE275-201N25A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DE275-201N25A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: DE275

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DE275-201N25A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DE275-201N25A даташит

 ..1. Size:137K  ixys
 de275-201n25a.pdf pdf_icon

DE275-201N25A

DE275-201N25A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode VDSS = 200 V Low Qg and Rg High dv/dt ID25 = 25 A Nanosecond Switching RDS(on) = 0.13 Ideal for Class C, D, & E Applications Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 590 W TJ = 25 C to 150 C VDSS 200 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 200 V Continuous VGS 20 V Transie

 8.1. Size:167K  ixys
 de275-102n06a.pdf pdf_icon

DE275-201N25A

DE275-102N06A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode VDSS = 1000 V Low Qg and Rg High dv/dt ID25 = 8 A Nanosecond Switching RDS(on) = 1.5 Ideal for Class C, D, & E Applications PDC = 590 W Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 1000 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V Transi

 8.2. Size:146K  ixys
 de275-501n16a.pdf pdf_icon

DE275-201N25A

DE275-501N16A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 500 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 16 A Ideal for Class C, D, & E Applications RDS(on) = 0.4 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 590 W TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transien

 8.3. Size:143K  ixys
 de275-101n30a.pdf pdf_icon

DE275-201N25A

DE275-101N30A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 100 V High dv/dt ID25 = 30.0 A Nanosecond Switching RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.06 TJ = 25 C to 150 C VDSS 100 V PDC = 550 W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 100 V Continuous VGS 20 V Transient VGSM 30 V Tc = 25 C ID25 30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A, DE150-102N02A, DE150-201N09A, DE150-501N04A, DE275-101N30A, DE275-102N06A, 8N60, DE275-501N16A, DE275X2-102N06A, DE275X2-501N16A, DE375-102N10A, DE375-102N12A, DE375-501N21A, DE475-102N20A, DE475-102N21A