SFF9140 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF9140

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для SFF9140

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF9140 даташит

 ..1. Size:212K  samsung
 sff9140.pdf pdf_icon

SFF9140

SFF9140 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -13.2 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature TO-3PF Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source

 0.1. Size:168K  ssdi
 sff9140c.pdf pdf_icon

SFF9140

 0.2. Size:162K  ssdi
 sff9140m sff9140z.pdf pdf_icon

SFF9140

 0.3. Size:62K  ssdi
 sff9140j.pdf pdf_icon

SFF9140

SFF9140J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -18 AMPS Designer s Data Sheet -100 VOLTS 0.20 FEATURES Rugged Construction with Poly Silicon Gate P-CHANNEL Low RDS(on) and High Transconductance POWER MOSFET Excellent High Temperature S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF9N100JED-U, SDF9N100SXH, SDF9NA80, SDFC30JAA, SDFC30JAB, SDFC40, SDFE22JAA, SDFE22JAB, IRFP260, SFF9240, SFF9244, SFH154, SFH9140, SFH9154, SFH9240, SFH9244, SFI2955