Справочник MOSFET. DKI10299

 

DKI10299 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DKI10299
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для DKI10299

 

 

DKI10299 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  sanken-ele
 dki10299.pdf

DKI10299 DKI10299

100 V, 28 A, 20.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10299 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 28 A D RDS(ON) -------- 30.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 14.2 A) Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17.1 A) Low Total Gat

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 dki10299.pdf

DKI10299 DKI10299

isc N-Channel MOSFET Transistor DKI10299FEATURESDrain Current I =28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 30m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:369K  sanken-ele
 dki10526.pdf

DKI10299 DKI10299

100 V, 19 A, 34.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10526 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 19 A D RDS(ON) ---------- 54.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 9.3 A) Qg ------- 9.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 11.9 A) Low Total G

 9.2. Size:369K  sanken-ele
 dki10751.pdf

DKI10299 DKI10299

100 V, 15 A, 50.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10751 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 15 A D RDS(ON) ---------- 72.6m max. (VGS = 10 V, ID = 7.5 A) Qg --------- 6.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 9.5 A) Low Total G

 9.3. Size:265K  inchange semiconductor
 dki10526.pdf

DKI10299 DKI10299

isc N-Channel MOSFET Transistor DKI10526FEATURESDrain Current I =19A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 54.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 9.4. Size:265K  inchange semiconductor
 dki10751.pdf

DKI10299 DKI10299

isc N-Channel MOSFET Transistor DKI10751FEATURESDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 72.6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top