DKI10299 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DKI10299  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DKI10299

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DKI10299 даташит

 ..1. Size:369K  sanken-ele
dki10299.pdfpdf_icon

DKI10299

100 V, 28 A, 20.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10299 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 28 A D RDS(ON) -------- 30.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 14.2 A) Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17.1 A) Low Total Gat

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
dki10299.pdfpdf_icon

DKI10299

isc N-Channel MOSFET Transistor DKI10299 FEATURES Drain Current I =28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 30m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:369K  sanken-ele
dki10526.pdfpdf_icon

DKI10299

100 V, 19 A, 34.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10526 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 19 A D RDS(ON) ---------- 54.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 9.3 A) Qg ------- 9.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 11.9 A) Low Total G

 9.2. Size:369K  sanken-ele
dki10751.pdfpdf_icon

DKI10299

100 V, 15 A, 50.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10751 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 15 A D RDS(ON) ---------- 72.6m max. (VGS = 10 V, ID = 7.5 A) Qg --------- 6.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 9.5 A) Low Total G

Другие IGBT... DKI04035, DKI04046, DKI04077, DKI04103, DKI06075, DKI06108, DKI06186, DKI06261, IRFP460, DKI10526, DKI10751, DL2M100N5, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, DMC1029UFDB, DMC1030UFDB