DMC1030UFDB - аналоги и даташиты транзистора

 

DMC1030UFDB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMC1030UFDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6

 Аналог (замена) для DMC1030UFDB

 

DMC1030UFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  diodes
 dmc1030ufdb.pdf pdf_icon

DMC1030UFDB

DMC1030UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID MAX Low On-Resistance Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 34m @ VGS = 4.5V 5.1A ESD Protected Gate 40m @ VGS = 2.5V 4.7A Q1 12V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) N-Channel 50m @ VGS

 9.1. Size:589K  diodes
 dmc1028ufdb.pdf pdf_icon

DMC1030UFDB

DMC1028UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Device BVDSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 25m @ VGS = 4.5V 6.0A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 12V 30m @ VGS = 3.3V 5.5A ESD HBM Protected up to 1.5KV, MM Protected up to 150V. N-Channel 32m @ VGS = 2.5V 5.3A Totally Lea

 9.2. Size:446K  diodes
 dmc1017upd.pdf pdf_icon

DMC1030UFDB

DMC1017UPD COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI 5060-8 Product Summary Features and Benefits Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications ID Device V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 17m @ VGS = 4.5V 9.5A Q1 12V Low Input Capacitance 25m @ VGS = 2.5V 7.8A Fas

 9.3. Size:307K  diodes
 dmc1029ufdb.pdf pdf_icon

DMC1030UFDB

DMC1029UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 Low Input Capacitance C 29m @ VGS = 4.5V 5.6A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DKI10299 , DKI10526 , DKI10751 , DL2M100N5 , DL2M50N5 , DMC1017UPD , DMC1028UFDB , DMC1029UFDB , AO3400 , DMC1229UFDB , DMC2038LVT , DMC2041UFDB , DMC2400UV , DMC25D0UVT , DMC25D1UVT , DMC2700UDM , DMC2990UDJ .

 

 
Back to Top

 


 
.