Справочник MOSFET. DMC1030UFDB

 

DMC1030UFDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMC1030UFDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6

 Аналог (замена) для DMC1030UFDB

 

 

DMC1030UFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  diodes
 dmc1030ufdb.pdf

DMC1030UFDB DMC1030UFDB

DMC1030UFDBCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID MAX Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 34m @ VGS = 4.5V 5.1A ESD Protected Gate 40m @ VGS = 2.5V 4.7A Q1 12V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) N-Channel 50m @ VGS

 9.1. Size:589K  diodes
 dmc1028ufdb.pdf

DMC1030UFDB DMC1030UFDB

DMC1028UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Device BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 25m @ VGS = 4.5V 6.0A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 12V 30m @ VGS = 3.3V 5.5A ESD HBM Protected up to 1.5KV, MM Protected up to 150V. N-Channel 32m @ VGS = 2.5V 5.3A Totally Lea

 9.2. Size:446K  diodes
 dmc1017upd.pdf

DMC1030UFDB DMC1030UFDB

DMC1017UPDCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications ID Device V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 17m @ VGS = 4.5V 9.5A Q1 12V Low Input Capacitance 25m @ VGS = 2.5V 7.8A Fas

 9.3. Size:307K  diodes
 dmc1029ufdb.pdf

DMC1030UFDB DMC1030UFDB

DMC1029UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 Low Input Capacitance C 29m @ VGS = 4.5V 5.6A Low Profile, 0.6mm Max Height Q1 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Haloge

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top