DMC31D5UDJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DMC31D5UDJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2.68 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-963
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DMC31D5UDJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMC31D5UDJ даташит
dmc31d5udj.pdf
DMC31D5UDJ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max TA = +25 C Low Input Capacitance 1.5 @ VGS = 4.5V Fast Switching Speed 2.0 @ VGS = 2.5V Q1 30V 0.22A Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm 3.0 @ VGS
Другие IGBT... DMC2400UV, DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM, DMC2990UDJ, DMC3016LSD, DMC3025LSD, DMC3028LSDX, IRF9540, DMC3400SDW, DMC4015SSD, DMC4029SSD, DMC4047LSD, DMC6040SSD, DMG1029SV, DMG2305UX, DMG301NU
History: AFN4906
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet

