DMC3400SDW datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DMC3400SDW 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DMC3400SDW
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMC3400SDW даташит
dmc3400sdw.pdf
DMC3400SDW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 10V 0.65A ESD Protected Gate Q1 30 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 0.7 @ VGS = 4.5V 0.52A Halogen an
Другие IGBT... DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM, DMC2990UDJ, DMC3016LSD, DMC3025LSD, DMC3028LSDX, DMC31D5UDJ, AON7408, DMC4015SSD, DMC4029SSD, DMC4047LSD, DMC6040SSD, DMG1029SV, DMG2305UX, DMG301NU, DMG302PU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166

