DMG6602SVTQ - аналоги и даташиты транзистора

 

DMG6602SVTQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMG6602SVTQ
   Маркировка: 66C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26

 Аналог (замена) для DMG6602SVTQ

 

DMG6602SVTQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  diodes
 dmg6602svtq.pdf pdf_icon

DMG6602SVTQ

DMG6602SVTQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antim

 4.1. Size:506K  diodes
 dmg6602svt.pdf pdf_icon

DMG6602SVTQ

DMG6602SVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Anti

 6.1. Size:1546K  cn vbsemi
 dmg6602s.pdf pdf_icon

DMG6602SVTQ

DMG6602S www.VBsemi.tw N- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET 0 FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested 0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 20 0.083 at V

 8.1. Size:382K  diodes
 dmg6601lvt.pdf pdf_icon

DMG6602SVTQ

DMG6601LVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Complementary MOSFET Device V(BR)DSS RDS(ON) max Package TA = +25 C Low On-Resistance Low Input Capacitance 55m @ VGS = 10V TSOT26 3.8A Q1 30V Fast Switching Speed 65m @ VGS = 4.5V TSOT26 3.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT , STP80NF70 , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD .

 

 
Back to Top

 


 
.