DMN3029LFG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3029LFG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0186 Ohm

Тип корпуса: POWERDI-3333-8

Аналог (замена) для DMN3029LFG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3029LFG даташит

 ..1. Size:195K  diodes
 dmn3029lfg.pdf pdf_icon

DMN3029LFG

DMN3029LFG Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID V(BR)DSS RDS(ON) Small form factor thermally efficient package enables higher TA = 25 C density end products 18.6m @ VGS = 10V 8.0A Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 30V smaller end pr

 8.1. Size:290K  diodes
 dmn3026lvt.pdf pdf_icon

DMN3029LFG

DMN3026LVT 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 23m @ VGS = 10V 6.6A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 30m @ VGS = 4.5V 5.8A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qual

 8.2. Size:157K  diodes
 dmn3024sfg.pdf pdf_icon

DMN3029LFG

DMN3024SFG 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized TA = 25 C Small form factor thermally efficient package enables higher 23m @ VGS = 10V 7.5A density end products 30V O

 8.3. Size:293K  diodes
 dmn3025lss.pdf pdf_icon

DMN3029LFG

DMN3025LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON)max TA = +25 C Fast Switching Speed 20m @ VGS = 10V 7.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 30V 31m @ VGS = 4.5V 5.8A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN3016LSS, DMN3018SFG, DMN3018SSD, DMN3018SSS-13, DMN3024SFG, DMN3025LFG, DMN3025LSS, DMN3026LVT, AON7410, DMN3030LFG, DMN3032LE, DMN3033LSNQ, DMN3035LWN, DMN3042L, DMN3050S-7, DMN3053L, DMN3065LW