Справочник MOSFET. DMN32D4SDW

 

DMN32D4SDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN32D4SDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для DMN32D4SDW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN32D4SDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  diodes
dmn32d4sdw.pdfpdf_icon

DMN32D4SDW

DMN32D4SDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 10V 0.65A Fast Switching Speed 30V ESD Protected Gate 0.7 @ VGS = 4.5V 0.52A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 8.1. Size:274K  diodes
dmn32d2ldf.pdfpdf_icon

DMN32D4SDW

DMN32D2LDFCOMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Common Source Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-353 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold

 8.2. Size:178K  diodes
dmn32d2lfb4.pdfpdf_icon

DMN32D4SDW

DMN32D2LFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: DFN1006H4-3 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal Con

 8.3. Size:179K  diodes
dmn32d2lv.pdfpdf_icon

DMN32D4SDW

DMN32D2LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitan

Другие MOSFET... DMN3070SSN , DMN30H14DLY , DMN30H4D0L , DMN30H4D0LFDE , DMN3135LVT , DMN313DLT , DMN3190LDW , DMN31D5UFZ , 5N65 , DMN33D8L , DMN33D8LDW , DMN33D8LT , DMN33D8LV , DMN3730UFB-7 , DMN3900UFA , DMN4008LFG , DMN4010LFG .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.