DMN4020LFDE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN4020LFDE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

Аналог (замена) для DMN4020LFDE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN4020LFDE даташит

 ..1. Size:286K  diodes
 dmn4020lfde.pdf pdf_icon

DMN4020LFDE

DMN4020LFDE 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 0.6mm profile ideal for low profile applications PCB footprint of 4mm2 ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low On-Resistance 20m @ VGS = 10V 8.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 40V Halogen and Antim

 8.1. Size:464K  diodes
 dmn4026sk3.pdf pdf_icon

DMN4020LFDE

DMN4026SK3 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-resistance TC = +25 C Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) 24m @VGS = 10V 28A 40V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 32m @VGS = 4.5

 8.2. Size:676K  diodes
 dmn4027sss.pdf pdf_icon

DMN4020LFDE

A Product Line of Diodes Incorporated DMN4027SSS 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 27m @ VGS= 10V 8.0A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 40V 47m @ VGS= 4.5V 6.1A Mechanic

 8.3. Size:695K  diodes
 dmn4027ssd.pdf pdf_icon

DMN4020LFDE

A Product Line of Diodes Incorporated DMN4027SSD 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 27m @ VGS= 10V 7.1A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 40V 47m @ VGS= 4.5V 5.4A Mec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN33D8LDW, DMN33D8LT, DMN33D8LV, DMN3730UFB-7, DMN3900UFA, DMN4008LFG, DMN4010LFG, DMN4010LK3, STF13NM60N, DMN4026SK3, DMN4026SSD, DMN4060SVT-7, DMN53D0L, DMN53D0LDW, DMN53D0LT, DMN53D0LV, DMN53D0LW