Справочник MOSFET. DMN65D8LDW

 

DMN65D8LDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN65D8LDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для DMN65D8LDW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN65D8LDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  diodes
 dmn65d8ldw.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

GreenDMN65D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-ResistanceTA = +25C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)

 6.1. Size:148K  diodes
 dmn65d8lw.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant

 6.2. Size:143K  diodes
 dmn65d8l.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn65d8lq.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN6140LQ , DMN62D0LFB , DMN62D0LFD , DMN62D0SFD , DMN62D1LFD , DMN63D8LDW , DMN63D8LV , DMN65D8L , IRF540 , DMN65D8LFB , DMN65D8LW , DMN7022LFG , DMP1011UCB9 , DMP1012UCB9 , DMP1018UCB9 , DMP1022UFDE , DMP1022UFDF .

History: STV200N55F3 | SPI15N60CFD | CED3172 | 2SK1546 | SM2F07NSU | CEU83A3

 

 
Back to Top

 


 
.