DMN65D8LDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN65D8LDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для DMN65D8LDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN65D8LDW даташит

 ..1. Size:188K  diodes
 dmn65d8ldw.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

Green DMN65D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-Resistance TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)

 6.1. Size:148K  diodes
 dmn65d8lw.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant

 6.2. Size:143K  diodes
 dmn65d8l.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn65d8lq.pdf pdf_icon

DMN65D8LDW

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN6140LQ, DMN62D0LFB, DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, DMN63D8LDW, DMN63D8LV, DMN65D8L, IRF540N, DMN65D8LFB, DMN65D8LW, DMN7022LFG, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9, DMP1018UCB9, DMP1022UFDE, DMP1022UFDF