DMN65D8LFB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMN65D8LFB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: X1-DFN1006-3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DMN65D8LFB Datasheet (PDF)
dmn65d8lfb.pdf

DMN65D8LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-Resistance TA = 25C Low Gate Threshold Voltage 3.0 @ VGS = 10V 400mA Low Input Capacitance 60V Fast Switching Speed 4.0 @ VGS = 5V 330mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1.2kV HBM L
dmn65d8lw.pdf

DMN65D8LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant
dmn65d8l.pdf

DMN65D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not
dmn65d8lq.pdf

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: MTN1N60L3 | 12N65KL-TF1-T | IRFR120TR | WMO15N25T2 | CJU10N10 | TF410 | FC6B22220L
History: MTN1N60L3 | 12N65KL-TF1-T | IRFR120TR | WMO15N25T2 | CJU10N10 | TF410 | FC6B22220L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281