DMN65D8LFB - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN65D8LFB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN65D8LFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: X1-DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для DMN65D8LFB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN65D8LFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  diodes
 dmn65d8lfb.pdf pdf_icon

DMN65D8LFB

DMN65D8LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-Resistance TA = 25C Low Gate Threshold Voltage 3.0 @ VGS = 10V 400mA Low Input Capacitance 60V Fast Switching Speed 4.0 @ VGS = 5V 330mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1.2kV HBM L

 6.1. Size:148K  diodes
 dmn65d8lw.pdf pdf_icon

DMN65D8LFB

DMN65D8LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant

 6.2. Size:143K  diodes
 dmn65d8l.pdf pdf_icon

DMN65D8LFB

DMN65D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn65d8lq.pdf pdf_icon

DMN65D8LFB

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN62D0LFB , DMN62D0LFD , DMN62D0SFD , DMN62D1LFD , DMN63D8LDW , DMN63D8LV , DMN65D8L , DMN65D8LDW , IRF540N , DMN65D8LW , DMN7022LFG , DMP1011UCB9 , DMP1012UCB9 , DMP1018UCB9 , DMP1022UFDE , DMP1022UFDF , DMP1045UFY4 .

History: JCS18N25CC

 

 
Back to Top

 


 
.