DMN65D8LW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN65D8LW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для DMN65D8LW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN65D8LW даташит

 ..1. Size:148K  diodes
 dmn65d8lw.pdf pdf_icon

DMN65D8LW

DMN65D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant

 6.1. Size:143K  diodes
 dmn65d8l.pdf pdf_icon

DMN65D8LW

DMN65D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 6.2. Size:455K  diodes
 dmn65d8lq.pdf pdf_icon

DMN65D8LW

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full

 6.3. Size:188K  diodes
 dmn65d8ldw.pdf pdf_icon

DMN65D8LW

Green DMN65D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-Resistance TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, DMN63D8LDW, DMN63D8LV, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB, 50N06, DMN7022LFG, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9, DMP1018UCB9, DMP1022UFDE, DMP1022UFDF, DMP1045UFY4, DMP1046UFDB