DMN65D8LW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN65D8LW
Маркировка: MM3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.87 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
DMN65D8LW Datasheet (PDF)
dmn65d8lw.pdf
DMN65D8LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant
dmn65d8l.pdf
DMN65D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not
dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full
dmn65d8ldw.pdf
GreenDMN65D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-ResistanceTA = +25C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
dmn65d8lfb.pdf
DMN65D8LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-Resistance TA = 25C Low Gate Threshold Voltage 3.0 @ VGS = 10V 400mA Low Input Capacitance 60V Fast Switching Speed 4.0 @ VGS = 5V 330mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1.2kV HBM L
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD