DMP21D2UFA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMP21D2UFA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: X2-DFN0806-3
Аналог (замена) для DMP21D2UFA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMP21D2UFA даташит
dmp21d2ufa.pdf
DMP21D2UFA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25 C 1.0 @ VGS = -4.5V Low On-Resistance 1.2 @ VGS = -2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max -20V -330mA 1.6 @ VG
dmp21d5ufb4.pdf
DMP21D5UFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 1.0 @ VGS = -4.5V -700mA Ultra-Small Surfaced Mount Package 1.5 @ VGS = -2.5V -600mA Ultra-low package profile, 0.4
dmp21d0ut.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated DMP21D0UT 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 3mm2 less than half the size of SOT23 ID Max 0.8mm profile ideal for low profile applications V(BR)DSS RDS(on) Max @ TA = 25 C Low Gate Threshold Voltage (Note 4) Fast Switching Speed ESD Protected Gate
dmp21d5ufd.pdf
DMP21D5UFD P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) max Package Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25 C Low Input Capacitance 1.0 @ VGS = -4.5V -600mA Fast Switching Speed 1.5 @ VGS = -2.5V -500mA ESD Protected Gate -20V X1-DFN1212-3 2.0 @ VGS = -1.8V -400mA Tot
Другие IGBT... DMP2066UFDE, DMP2070UCB6, DMP2100U, DMP2100UCB9, DMP213DUFA, DMP2160UFDBQ, DMP21D0UFD, DMP21D0UT, 5N65, DMP21D5UFB4, DMP21D5UFD, DMP2200UDW, DMP2200UFCL, DMP2240UWQ, DMP22D4UFA, DMP22M2UPS, DMP2305UVT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement







