Справочник MOSFET. DMP21D2UFA

 

DMP21D2UFA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMP21D2UFA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: X2-DFN0806-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMP21D2UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  diodes
dmp21d2ufa.pdfpdf_icon

DMP21D2UFA

DMP21D2UFA 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 1.0 @ VGS = -4.5V Low On-Resistance 1.2 @ VGS = -2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max -20V -330mA 1.6 @ VG

 8.1. Size:244K  diodes
dmp21d5ufb4.pdfpdf_icon

DMP21D2UFA

DMP21D5UFB4P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 1.0 @ VGS = -4.5V -700mA Ultra-Small Surfaced Mount Package 1.5 @ VGS = -2.5V -600mA Ultra-low package profile, 0.4

 8.2. Size:164K  diodes
dmp21d0ut.pdfpdf_icon

DMP21D2UFA

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP21D0UT20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 3mm2 less than half the size of SOT23 ID Max 0.8mm profile ideal for low profile applications V(BR)DSS RDS(on) Max @ TA = 25C Low Gate Threshold Voltage (Note 4) Fast Switching Speed ESD Protected Gate

 8.3. Size:185K  diodes
dmp21d5ufd.pdfpdf_icon

DMP21D2UFA

DMP21D5UFDP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) max Package Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25C Low Input Capacitance 1.0 @ VGS = -4.5V -600mA Fast Switching Speed 1.5 @ VGS = -2.5V -500mA ESD Protected Gate -20V X1-DFN1212-3 2.0 @ VGS = -1.8V -400mA Tot

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PE548EA | WMO099N10LGS | 17P10L-TA3-T | IRF6619 | 4N70L-TF3-T | BRCS250N03DMF | GWM120-0075X1-SMD

 

 
Back to Top

 


 
.