DMP26M7UFG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMP26M7UFG
Маркировка: S42_S47
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 835 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
Тип корпуса: POWERDI3333-8
Аналог (замена) для DMP26M7UFG
DMP26M7UFG Datasheet (PDF)
dmp26m7ufg.pdf
DMP26M7UFG 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 Small form factor thermally efficient package enables higher C density end products 6.7m @ VGS = -4.5V -40A -20V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 9.0m
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918