Справочник MOSFET. DMS2095LFDB

 

DMS2095LFDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMS2095LFDB
   Маркировка: MS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.81 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6

 Аналог (замена) для DMS2095LFDB

 

 

DMS2095LFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  diodes
 dms2095lfdb.pdf

DMS2095LFDB DMS2095LFDB

DMS2095LFDBP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) minimize conduction losses V(BR)DSS RDS(on) max ID Low Gate Threshold Voltage, -1.3V Max Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop 95m @ VGS = -4.5V -3.4A Low Profile, 0.5mm Max Height -20V 120m @ VGS = -2.5

 9.1. Size:298K  diodes
 dms2085lsd.pdf

DMS2095LFDB DMS2095LFDB

DMS2085LSDP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance MOSFET MOSFET with Low RDS(ON) Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) max ID85m @ VGS = -10V -3.3A Schottky Diode with Low Forward Voltage Drop -20V 125m @ VGS = -4.5V -2.8A Fast Switching Speed SCHOTTKY DIO

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top