DMT3008LFDF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMT3008LFDF
Маркировка: T3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 531 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: U-DFN2020-6
Аналог (замена) для DMT3008LFDF
DMT3008LFDF Datasheet (PDF)
dmt3008lfdf.pdf

DMT3008LFDF 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max V(BR)DSS RDS(ON) max PCB Footprint of 4mm2 TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 10m @ VGS = 10V 12.0A 30V Low On-Resistance 16m @ VGS = 4.5V 10.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
dmt3009lfvw-7.pdf

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by
dmt3006lps-13.pdf

DMT3006LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En
dmt3006lfv-7.pdf

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling
Другие MOSFET... DMS2095LFDB , DMS3012SFG , DMS3014SFG , DMS3014SSS , DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD , DMS3019SSD , 7N65 , DMT5015LFDF , DMT6008LFG , DMT6010LFG , DMT6016LFDF , DMT6016LPS , DMT6016LSS , DMT8012LFG , DMTH8012LK3 .
History: DMC1229UFDB
History: DMC1229UFDB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555