Справочник MOSFET. DN1509

 

DN1509 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DN1509
   Маркировка: DN5A*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для DN1509

 

 

DN1509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  supertex
 dn1509.pdf

DN1509 DN1509

DN1509N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description High input impedance The Supertex DN1509 is suitable for high voltage transient protection for LDO in automobile applications during load Low input capacitancedump conditions. Fast switching speeds Low on-resistanceThis low threshold, depletion-mode (normally-on) Free from s

 9.1. Size:82K  rohm
 rdn150n20.pdf

DN1509 DN1509

RDN150N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN150N20 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top