SFP9640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP9640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP9640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP9640 даташит

 ..1. Size:502K  samsung
 sfp9640.pdf pdf_icon

SFP9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 0.344 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 0.1. Size:222K  fairchild semi
 sfp9640l.pdf pdf_icon

SFP9640

SFP9640L Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitances ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current -10uA (Max.) @ VDS= -200V Lower RDS(ON) 0.383 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maxim

 8.1. Size:500K  samsung
 sfp9644.pdf pdf_icon

SFP9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -8.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 0.549 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 9.1. Size:503K  samsung
 sfp9614.pdf pdf_icon

SFP9640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1. 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 3.5 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP9530, SFP9540, SFP9610, SFP9614, SFP9620, SFP9624, SFP9630, SFP9634, 75N75, SFP9644, SFP9Z14, SFP9Z24, SFP9Z34, SFR2955, SFR9014, SFR9024, SFR9034