IPP60R280CFD7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP60R280CFD7
Маркировка: 60R280F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 14 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP60R280CFD7
IPP60R280CFD7 Datasheet (PDF)
ipp60r280cfd7.pdf
IPP60R280CFD7MOSFETPG-TO 220600V CoolMOS CFD7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS CFD7 is thesuccessor to the CoolMOS CFD2 series and is an optimized platformtailored to target soft switching application
ipp60r280cfd7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R280CFD7,IIPP60R280CFD7FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONThis new product series blends all advantages of a fast switchingtechnology together with
ipa60r280c6 ipb60r280c6 ipi60r280c6 ipp60r280c6 ipw60r280c6.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R280C6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPA60R280C6, IPB60R280C6IPI60R280C6, IPP60R280C6IPW60R280C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according
ipp60r280c6.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R280C6IIPP60R280C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOS while notsacrificing ease of use
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
