Справочник MOSFET. IRFR7540

 

IRFR7540 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR7540
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR7540 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  international rectifier
irfr7540pbf irfu7540pbf.pdfpdf_icon

IRFR7540

StrongIRFET IRFR7540PbF IRFU7540PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 4.0mBattery powered circuits max 4.8m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 110A S Resonant

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
irfr7540.pdfpdf_icon

IRFR7540

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7540, IIRFR7540FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

 7.1. Size:576K  international rectifier
irfr7546pbf irfu7546pbf.pdfpdf_icon

IRFR7540

StrongIRFET IRFR7546PbF IRFU7546PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications DVDSS 60V BLDC motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 6.6m Half-bridge and full-bridge topologies max 7.9mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 71A Resonant

 7.2. Size:242K  inchange semiconductor
irfr7546.pdfpdf_icon

IRFR7540

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7546, IIRFR7546FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)7.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQB6N90TMAM002 | NCEP026N10F | AP90T03GS-HF | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.