SFR9214 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFR9214

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SFR9214

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9214 даташит

 ..1. Size:309K  fairchild semi
 sfu9214 sfr9214.pdf pdf_icon

SFR9214

SFR/U9214 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Abs

 ..2. Size:503K  samsung
 sfr9214.pdf pdf_icon

SFR9214

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

 8.1. Size:256K  fairchild semi
 sfr9210 sfu9210.pdf pdf_icon

SFR9214

SFR/U9210 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu

 8.2. Size:494K  samsung
 sfr9210.pdf pdf_icon

SFR9214

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFR2955, SFR9014, SFR9024, SFR9034, SFR9110, SFR9120, SFR9130, SFR9210, K2611, SFR9220, SFR9224, SFS2955, SFS9510, SFS9520, SFS9530, SFS9540, SFS9610