2N4416AC1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N4416AC1A
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
Тип корпуса: LCC1
Аналог (замена) для 2N4416AC1A
2N4416AC1A Datasheet (PDF)
2n4416ac1a 2n4416ac1b 2n4416ac1c 2n4416ac1d.pdf
SILICON SMALL SIGNAL N-CHANNEL JFET 2N4416AC1 Low Noise, High Gain. Hermetic Surface Mounted Package. Designed For VHF/UHF Amplifiers, Oscillators And Mixers. Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage -35V VGD Gate Drain Voltage -35V IG
2n4416acsm 2n4416csm.pdf
2N4416CSMA2N4416ACSMSMALL SIGNAL NCHANNEL JFET IN AHERMETICALLY SEALEDCERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)FEATURES3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)21 CECC SCREENING OPTIONS1.91 0.10 SPACE QUALITY LEVEL OPT
2n4416 2n4416a sst4416.pdf
2N4416/2N4416A/SST4416Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)2N4416 -v6 -30 4.5 52N4416A -2.5 to -6 -35 4.5 5SST4416 -v6 -30 4.5 5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Excellent High-Frequency Gain: D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mixer2N4416/A, Gps 13 dB (typ) @D Very High System Sensitiv
2n4416a.pdf
2N4416A2N4416ASMALL SIGNAL NCHANNEL JFET THAT ISDESIGNED TO PROVIDE HIGHMECHANICAL DATAPERFORMANCE AMPLIFICATION ATDimensions in mm (inches)HIGH FREQUENCIES4.95 (0.195)4.52 (0.178)4.95 (0.195)4.52 (0.178)FEATURES EXCELLENT HIGH FREQUENCY GAINS0.48 (0.019)0.41 (0.016) CECC SCREENING OPTIONSdia. SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS2.54 (0.100)Nom.
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918