2N6849HP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6849HP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-205AD
Аналог (замена) для 2N6849HP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N6849HP даташит
2n6849hp.pdf
P-CHANNEL POWER MOSFET 2N6849HP MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-205AD Package Single Pulse Avalanche Energy Rated Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -100V VDG RGS = 20K Drain Gat
2n6849 irff9130.pdf
PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an
2n6849u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 DEVICES LEVELS JAN 2N6849 2N6849U JANTX JANTXV JANS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source
2n6845 irff9120.pdf
PD - 90552C IRFF9120 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6845 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/563 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9120 -100V 0.60 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proce
Другие IGBT... 2N5114UBE3, 2N5115E3, 2N5115UB, 2N5115UBE3, 2N5116E3, 2N5116UB, 2N5116UBE3, 2N5163, IRF630, 2N6849U, 2N6896, 2N6898, 2N7000CSM, 2N7000G, 2N7000RLRA, 2N7000RLRAG, 2N7000RLRMG
History: 5N65N | 6N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent







