Справочник MOSFET. 2N7002-7

 

2N7002-7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2N7002-7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для 2N7002-7

 

 

2N7002-7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  diodes
 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf

2N7002-7 2N7002-7

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

 7.1. Size:276K  philips
 2n7002-03.pdf

2N7002-7 2N7002-7

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

 7.2. Size:936K  kexin
 2n7002-3.pdf

2N7002-7 2N7002-7

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

 7.3. Size:106K  comchip
 2n7002-g.pdf

2N7002-7 2N7002-7

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top