Справочник MOSFET. 2N7002CSM

 

2N7002CSM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N7002CSM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 40 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.115 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 25 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для 2N7002CSM

 

 

2N7002CSM Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002csm.pdf Size:174K _semelab

2N7002CSM
2N7002CSM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002CSM VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage

7.1. 2n7002ck.pdf Size:76K _philips

2N7002CSM
2N7002CSM

2N7002CK60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFETRev. 01 11 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in asmall SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package usingTrench MOSFET technology.1.2 Features Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

7.2. 2n7002c1c 2n7002c1d.pdf Size:329K _semelab

2N7002CSM
2N7002CSM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1A / 2N7002C1B, 2N7002C1C / 2N7002C1D VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available Variants C1C & C1D with solder dip finished pads (63Sn

 7.3. 2n7002c1a 2n7002c1b.pdf Size:289K _semelab

2N7002CSM
2N7002CSM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N7002C1 VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5 Fast Switching Low Threshold Voltage Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible) High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top