SFS9540 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS9540

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SFS9540

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS9540 даташит

 ..1. Size:501K  samsung
 sfs9540.pdf pdf_icon

SFS9540

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -10.7 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ra

 9.1. Size:502K  samsung
 sfs9510.pdf pdf_icon

SFS9540

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -2.5 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.912 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ra

 9.2. Size:503K  samsung
 sfs9530.pdf pdf_icon

SFS9540

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -8 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.225 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Rati

 9.3. Size:493K  samsung
 sfs9520.pdf pdf_icon

SFS9540

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -4.6 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.444 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFR9210, SFR9214, SFR9220, SFR9224, SFS2955, SFS9510, SFS9520, SFS9530, IRFP064N, SFS9610, SFS9614, SFS9620, SFS9624, SFS9630, SFS9634, SFS9640, SFS9644