2N7334 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7334  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7334

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7334 даташит

 ..1. Size:267K  international rectifier
 2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

2N7334

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

 9.1. Size:596K  microsemi
 2n7335 2n7335e3.pdf pdf_icon

2N7334

2N7335 Qualified Levels JAN, JANTX, and QUAD P-CHANNEL MOSFET Available on JANTXV commercial Qualified per MIL-PRF-19500/599 versions DESCRIPTION This 2N7335 device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications. Important For th

Другие IGBT... 2N7272, 2N7275, 2N7278, 2N7281, 2N7291, 2N7293, 2N7295, 2N7297, AO4468, 2N7335, 2N7335E3, 2N7380, 2N7381, 2N7394, 2N7394U, 2N7405, BSC079N03S